BYD y Xpeng frenan líneas por falta de chips de memoria DRAM chinos

El hecho BYD, Xpeng y otros fabricantes chinos de vehículos eléctricos enfrentan interrupciones en producción por falta de chips de memoria DRAM, según reportó Nikkei Asia el 22 de mayo de 2026. La escasez afecta específicamente los módulos de memoria para sistemas de infoentretenimiento y conducción asistida. Las líneas de ensamblaje han reducido turnos en al menos tres plantas de BYD en Shenzhen y Xi'an.

El contexto estructural El cuello de botella no está en los chips de potencia —donde China ya logró autonomía con SiC doméstico— sino en DRAM automotriz de grado industrial, segmento donde Micron, Samsung y SK Hynix controlan el 95% global. YMTC y CXMT, los campeones nacionales chinos en memoria, aún no certifican volumen para aplicaciones vehiculares que exigen -40°C a +125°C. La brecha entre ambición de soberanía tecnológica y capacidad real de manufactura se hace visible justo en el eslabón más crítico: el cerebro del vehículo conectado.

Lectura LATAM Las ensambladoras chinas en México —BYD inauguró planta en Durango en marzo, GWM opera en Celaya desde 2024— importan los módulos DRAM desde China continental, no de proveedores locales. Si la escasez se extiende tres meses, las líneas mexicanas que abastecen Norteamérica entran en la misma cola de espera que Shenzhen. ¿Puede un proveedor chileno o brasileño de cobre para motores eléctricos confiar en cronogramas de producción que dependen de un insumo que Beijing aún no domina? Fuentes verificadas: Cochilco · USGS 2026.