SMIC iguala la densidad de transistores de TSMC en 7nm sin usar litografía EUV
El nodo N+3 logra 113,4 millones de transistores por mm² con paso metálico de 32,5 nanómetros, superando los 107,7 millones de TSMC N6. El chip Ascend 950PR de Huawei se fabrica en este proceso.
La firma SemiAnalysis realizó un desmontaje del nodo N+3 (3ª generación de 7nm) de SMIC y determinó que alcanza 113,4 millones de transistores por mm², por encima de los 107,7 millones de TSMC N6. SMIC logra esto con litografía DUV y patrones cuádruples auto-alineados (SAQP), sin litografía EUV, vetada por controles de exportación. El costo es mayor número de máscaras, menor rendimiento (yield) y mayor costo por oblea. El chip Ascend 950PR de Huawei se fabrica en este proceso.
El paso metálico mínimo de 32,5 nanómetros es más pequeño que el de Intel 18A. SMIC demuestra que las restricciones de EUV no detuvieron el avance en densidad de transistores a 7nm, aunque la eficiencia de producción sigue siendo inferior a la de TSMC.
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SMIC iguala la densidad de transistores de TSMC en 7nm sin usar litografía EUV Confirma que los controles de exportación de Estados Unidos no detuvieron el avance chino en chips de gama media. Lo cubrimos en The Chinaexpert News 👇
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