BYD y Xpeng frenan líneas por falta de chips de memoria DRAM chinos
La escasez golpea justo cuando Beijing acelera la sustitución de proveedores extranjeros en semiconductores automotrices.
BYD, Xpeng y otros fabricantes chinos de vehículos eléctricos enfrentan interrupciones en producción por falta de chips de memoria DRAM, según reportó Nikkei Asia el 22 de mayo de 2026. La escasez afecta específicamente los módulos de memoria para sistemas de infoentretenimiento y conducción asistida. Las líneas de ensamblaje han reducido turnos en al menos tres plantas de BYD en Shenzhen y Xi'an.
El cuello de botella no está en los chips de potencia —donde China ya logró autonomía con SiC doméstico— sino en DRAM automotriz de grado industrial, segmento donde Micron, Samsung y SK Hynix controlan el 95% global. YMTC y CXMT, los campeones nacionales chinos en memoria, aún no certifican volumen para aplicaciones vehiculares que exigen -40°C a +125°C. La brecha entre ambición de soberanía tecnológica y capacidad real de manufactura se hace visible justo en el eslabón más crítico: el cerebro del vehículo conectado.